Νέα transistors της επόμενης γενιάς

Από το δίκτυο, 5 Δεκεμβρίου 2001

Από την Intel, την ΑΜD και την IBM, ανακοινώθηκε τις τελευταίες ημέρες, πως έφτιαξαν ημιαγωγούς της επόμενης γενεάς. Οι συσκευές αυτές που αναμένεται να κυκλοφορήσουν σε μερικά χρόνια, ανακοινώθηκαν στο πλαίσιο της Διεθνούς Έκθεσης IEDM (International Electron Devices Meeting).

IBM

Η ΙΒΜ τα ονόμασε double gate transistors και διαθέτουν ένα σχεδιασμό κατάλληλα για να μπορούν να εργάζονται με το μισό της ενέργειας σε σχέση με τα σημερινά. Οι πρώτοι επεξεργαστές εξοπλισμένοι με τους νέους ημιαγωγούς της IBM αναμένεται να κυκλοφορήσουν στην αγορά μετά το 2006.

Με τη χρήση μιας διπλής πύλης ή gate, της περιοχής του ημιαγωγού, στην οποία εφαρμόζεται η τάση που καθορίζει την αγωγιμότητά του, η IBM πιστεύει ότι θα μπορέσει να προσφέρει τις ίδιες επιδόσεις με λιγότερη ενέργεια.

Τα νέα transistors υπόσχονται, επιπλέον, μικρότερους επεξεργαστές σε ακόμα μεγαλύτερες συχνότητες. Τα dual gate transistors θα κατασκευάζονται με την τεχνολογία SOI (Silicon-On-Insulator), η οποία αναμένεται να διαδεχθεί την τωρινή τεχνολογία CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors).

INTEL

Επίσης η Intel, παρουσίασε ένα νέο τύπο ημιαγωγού που θα λειτουργεί σε συχνότητες μερικών Teraherz (THz), χωρίς να παράγει μεγάλα ποσά θερμότητας. Η νέα τεχνολογία θα βοηθήσει τους μηχανικούς της εταιρείας να τηρήσουν το νόμο του Moore και τα επόμενα χρόνια. Οι επεξεργαστές του 2007 θα αποτελούνται από ένα δισεκατομμύριο ημιαγωγούς αυτής της τεχνολογίας, σε σχέση με τα 42 εκατομμύρια των τωρινών Pentium 4.

Οι δύο σημαντικές βελτιώσεις στον υπάρχοντα σχεδιασμό ημιαγωγών που παρουσιάζουν οι μηχανικοί της Intel στην Διεθνή έκθεση IEDM, που γίνεται τις ημέρες αυτές στην Ουάσιγκτον, είναι ο ''ημιαγωγός μειωμένου υποστρώματος'' (depleted substrate transistor) και ένα νέο υλικό που ονομάζεται ''διηλεκτρικό πύλης υψηλού k'' (high k gate dielectric). Ο συνδυασμός τους υπόσχεται να μειώσει σημαντικά τη διαρροή ρεύματος και την κατανάλωση ενέργειας, με μεγαλύτερες ταχύτητες

AMD

Η AMD ανέπτυξε το γρηγορότερο τρανζίστορ CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) του κόσμου, που, όπως ισχυρίζεται, θα δεκαπλασιάσει την ταχύτητα των επεξεργαστών.

Το νέο τρανζίστορ της AMD λειτουργεί στις υψηλότερες συχνότητες που έχουν αναφερθεί μέχρι στιγμής στη βιομηχανία των ημιαγωγών, και έχει διάσταση 15nm (0,015 micron). Μέσω του νέου μικροσκοπικού ηλεκτρονικού διακόπτη, η ΑMD φιλοδοξεί να αυξήσει έως και 20 φορές τον αριθμό των τρανζίστορ που θα μπορούν να τοποθετηθούν σε έναν επεξεργαστή.

Η τεχνολογία της AMD, δεν θα είναι ώριμη για να προωθηθεί στην αγορά πριν το 2009. Τo πρωτότυπο τρανζίστορ των 0,15nm αναπτύχθηκε στο κέντρο ερευνών της εταιρείας.